晶闸管工作中需要触发信号这工作由触发电路完成

常用触发电路：单结晶体管、小晶闸管、晶体管（）

一、对触发电路的要求

（1）电压和电流足够大

触发电压：4～10v

触发电流：满足晶闸管的要求（不同管值不同）

（2）触发脉冲宽度

应大于晶闸的导通时间， 10μs以上（20～50μs）

（3）不触发时，输出电压〈0.1s～0.2(v)

可以负电压输出

（4）触发脉冲前沿要陡（<10μs）

保证触发时间的准确性

（5）触发脉冲应与主电路同步，应能移相。

二、单结晶体管触发电路

用于中小功率的晶闸管电路中（50a）

一）、单结晶体管的结构、特性

符号：由两个pn结组成： 代号：vu

发射极-e、

第一基极-b、

第二基极-b2

2、等效电路：

rb1第一基极等效电阻

rb2第二基极等效电阻

当b2（+），b1（-）时，（ubb一定）a点电压

η分压系数（0.3～0.9不同管子不一样）（分压比）

3、工作过程：（当ubb不变）

（1）当ue〈ua时，v反压id极不小；

（2）当ue= ua时，v正压，但

（3）当ue= ua+ud时（p）点id上升（导通）rb1减小出现负阻特性。ue下降ie上升，p点为峰点（开始出现负阻特性的工作点）这时峰点电压u峰点电流i

（4）当ue下降至v点时，电阻rb1不再减小（当ie上升ue上升,线性）这一点称为谷点（v）谷点电压uv谷点电流iv，p-v之间称为负阻区。

(5)当ue

二）、单结晶体管的自振荡电路

1、原理：s（off到on）接通后

（1）充电：ue= uc上升

当uc

充电

放电

uc油续充电上升

（2）电容放电uc= up

当uc= up时e与b1导通（负电阻区）

ie上升，c向r1放电在r1上产生电压uo

（3）电容放电结束

由于r1小rb1导通也小而r较大，所以电流ie由c提供。但不能维持。

当电容放完电后，uc< uv（谷点）时，r的电流i

2、参数：

（1）对于r（充电电阻）

当uc= up时ir（流过r的电流）>;ip（当ir

当uc= uv时ir

所以

（2）周期：

（3）脉冲宽度：

决定于r1、c（放电时间常数）

一般

（4）脉冲峰值电压uom

当uc=up时,导通。uom∝up：而up=ua+ud=ubb+ud， 所以uom∝（≈）ηubb+ud

当η大或ubb大时，uom也大

（5）峰点电压

up与和ubb成正比

当上升（或ubb上升）时up上升

（6）r2为温度补偿电阻（200ω左右）

三）、单结晶体管触发电路

对于晶闸管中的触发脉冲应以过零点为起点，开始移相（同步）（α角的起点），所以需一个同步脉冲信号。实际的触发电路如图所示。

t——同步变压器；dw——稳压；rs——限流电阻；r——充电电阻；

c——充电电容；r1——输出电阻；

1、同步电压

2、触发信号

3、主电路电压电流

4、主电路电压电流

5、调压：当改变r下降时，t下降（周期=）控制角α变小下降，θ增加上升。

同样当r上升时，α上升，θ下降

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